Warning: count(): Parameter must be an array or an object that implements Countable in /home/dgtnet/domains/dgt.net.vn/public_html/wp-content/plugins/poka-module/libraries/class_pagetemplater.php on line 70
Samsung chip vs. SK hynix chip: Cạnh tranh công nghệ không hồi kết - DGT

Samsung chip vs. SK hynix chip: Cạnh tranh công nghệ không hồi kết

Các tiến bộ trong công nghệ sản xuất chip giữa hai đối thủ qua góc nhìn của tạp chí The Korea Herald

Phần lớn người dân Hàn Quốc đều biết rằng đất nước họ có hai gã khổng lồ chip nhớ lớn nhất thế giới – Samsung Electronics và SK hynix.

Theo báo cáo của TrendForce thì tính đến quý 3 năm ngoái, tổng thị phần của hai nhà sản xuất chip Hàn Quốc về DRAM chiếm đến 74.4% thị phần chip nhớ toàn cầu. Đối với NAND flash, hai nhà sản xuất này cũng chiếm 45,2% sản lượng trên toàn thế giới.

Nhưng không phải ai cũng hiểu rõ về các chi tiết sản phẩm giúp các nhà sản xuất chip Hàn Quốc này có được lợi thế trong cuộc đua bán dẫn toàn cầu, phần lớn là do sự phức tạp của các công nghệ sản xuất chip.

Vì vậy, Korea Herald đã đi tìm hiểu những tiến bộ mà Samsung và SK hynix đã tạo ra trong các công nghệ sản xuất chip trong những năm qua. Hiện tại họ đang đứng ở đâu, và những sản phẩm bộ nhớ tiên tiến nhất dự kiến ​​trong năm nay là gì?

Cuộc đua sát ván trong công nghệ DRAM.

Nhiều năm trời trong suốt thập kỷ qua, cả Samsung và SK hynix đều đạt được các mốc quan trọng trong việc phát triển các công nghệ xử lý chip nhớ, với các bước chuyển công nghệ từ tiến trình 40nm sang tiến trình 10nm.

Nanomet(nm) là một đơn vị chiều dài bằng một phần tỷ mét, và số nanomet là một trong những thông số kỹ thuật chính trong chế tạo chất bán dẫn.

Đó là thước đó về cách mà các nhà sản xuất cắm số lượng linh kiện trên từng con chip của nhà sản xuất ở mật độ nào – số càng nhỏ thì kích thước chip càng nhỏ. Cũng như là cụm linh kiện, kích thước nhỏ hơn là yếu tố tiên quyết để tiết kiệm năng lượng của chip trong thiết bị điện tử.

Cả hai công ty Hàn Quốc này đều đạt được những bước nhảy vọt về công nghệ, đặc biệt là giữa năm 2016 và 2019.

Samsung đã cho ra mắt chip DRAM thế hệ thứ ba sử dụng tiến trình 20 nm vào năm 2016. Đến quý đầu tiên của năm 2019, Samsung đã công bố chip DRAM thế hệ thứ ba sử dụng tiến trình 10 nm.

SK hynix chậm hơn một vài năm, công bố chip DRAM thế hệ đầu tiên với tiến trình 10 nm trong quý 4 năm 2017.

Vào thời điểm đó, Samsung đã tiến hành sản xuất đại trà chip DRAM thế hệ thứ hai bằng tiến trình 10 nm.

Đi đầu trong cuộc đua công nghệ, Samsung chiếm đến 45,7% thị phần DRAM toàn cầu trong quý 3 năm 2019.

Trong khi Samsung dự kiến ​​sẽ tung ra DRAM dung lượng lớn thế hệ thứ ba sử dụng tiến trình 10 nm  trong năm nay, SK hynix cũng đang có kế hoạch để sớm đuổi kịp.

Một chuyên gia trong ngành cho biết: ” đối với DRAM, khoảng cách công nghệ giữa hai nhà sản xuất đã được thu hẹp xuống dưới một năm, khoảng 8 đến 10 tháng”.

Chip NAND – Cuộc cạnh tranh công bằng.

Nếu nanomet là yếu tố được quan tâm hàng đầu đối với DRAM, thì yếu tố cốt lõi của chip NAND Flash nằm ở số lớp (layer).

Số lượng lớp (layer) cho NAND có nghĩa là có bao nhiêu lớp ô nhớ được xếp chồng lên nhau trong cấu trúc chip 3D. Chip NAND flash thường được ví như các tòa nhà cao tầng. Sử dụng nhiều lớp hơn là cách để có được nhiều dung lượng hơn trong cùng một không gian.

Samsung bắt đầu sản xuất chip NAND 24 lớp với công nghệ độc quyền 3D V-NAND vào quý 3 năm 2013. Mỗi năm, gã khổng lồ công nghệ đã bổ sung thêm nhiều lớp nữa, đạt 64 lớp vào cuối năm 2016.

SK hynix đã lấn sân sang thị trường NAND vào năm 2016.

Công ty này đã ra mắt NAND 36 lớp thế hệ đầu tiên trong cấu trúc 3D NAND vào quý 2 năm 2016. Trong cùng năm đó, nhà sản xuất chip đã bổ sung thêm 12 lớp.

Sau đó vào quý 3 năm 2017, SK hynix đã đánh bại đối thủ của mình về công nghệ bằng cách tung ra các sản phẩm NAND 72 lớp.

Nếu đặt trong bối cảnh SK hynix tham gia vào thị trường NAND chậm hơn Samsung khoảng ba năm, thì sự tiến bộ công nghệ nhanh chóng này đã củng cố chỗ đứng của nhà sản xuất chip Hàn Quốc trong thị trường chip nhớ nói chung.

SK hynix đã tạo ra một bước đột phá khác cho công nghệ NAND bằng cách công bố cấu trúc 4D NAND 96 lớp đầu tiên trong ngành vào quý ba năm ngoái. Hiện tại họ đang chuẩn bị tung ra các sản phẩm 4D NAND 128 lớp trong năm nay.

Kết quả hình ảnh cho SK Hynix introduces 4D NAND

Trong khi đó, Samsung dường như đã thay đổi chiến lược về cách đặt tên NAND.

Công ty đã quyết định không tiết lộ số lượng lớp trong năm 2018 khi công bố cấu trúc 3D V-NAND  9x lớp. Thuật ngữ 9x có nghĩa là hơn 90 lớp.

Vượt xa đối thủ, Samsung sau đó đã giới thiệu NAND 1xx lớp trong năm 2019 và đang lên kế hoạch công bố NAND 1yy lớp trong năm nay.

Sự thay đổi trong cách đặt tên của các sản phẩm NAND được coi là một chiến thuật quan trọng nhằm phát triển công nghệ NAND mới nhất trong khi bao gồm các thách thức công nghệ mà các nhà sản xuất chip phải đối mặt.

Ngày nay, khi các thiết bị điện tử ngày càng có thiết kế nhỏ hơn, thì thách thức về công nghệ là làm sao để xếp chồng trên 100 lớp. Một số người nói rằng NAND 1yy lớp sắp tới của Samsung có thể đạt tới 190 lớp, nhưng bạn không thể biết NAND đó có thực sự đạt 190 lớp hay không. Trong hầu hết các trường hợp, trên thực tế khi đưa vào thiết bị thì NAND sẽ đạt ít lớp hơn so với công bố.

Mặc dù số lượng chính xác của các lớp không được công bố, khách hàng sẽ để ý và họ thảo luận về thông số kỹ thuật của sản phẩm.

Với chip nhớ thế hệ tiếp theo.

Đối với NAND, cả hai nhà sản xuất chip đều không tiếp tục tham gia cuộc đua tăng số lượng lớp (layer), mà cố gắng tìm kiếm các đột phá công nghệ để giảm độ dày của chip nhớ nhưng vẫn giữ nguyên được hiệu năng và dung lượng lưu trữ.

Đối với DRAM, có vẻ như các công ty vẫn đang nỗ lực phấn đấu để đạt được tiến trình dưới 10 nm.

Sau tiến trình 1z (thế hệ thứ ba của chip tiến trình 10 nm), cả Samsung và SK hynix đang có kế hoạch phát triển thế hệ thứ tư, được gọi là “1a”.

Samsung gần đây đã xây dựng lộ trình sản phẩm cho thế hệ DRAM mới sử dụng tiến trình mới yêu cầu sử dụng công nghệ EUV (quang khắc cực tím) trong vài năm tới.

Một nhân viên của Samsung cho biết, việc đột phá công nghệ xuống dưới tiến trình 10 nm sẽ mất thêm vài năm nữa vì công nghệ xử lý nanomet trở nên phức tạp hơn nhiều so với trước đây.

Trong khi đó, theo SK hynix thì hãng vẫn chưa công bố thời gian ra mắt chính thức của tiến trình “1a”.

(Theo The Korea Herald)


Warning: count(): Parameter must be an array or an object that implements Countable in /home/dgtnet/domains/dgt.net.vn/public_html/wp-content/plugins/poka-module/libraries/widgets/show_post.php on line 317

Bài viết liên quan

Trả lời

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *

Scroll to top