SK hynix phát triển DRAM có băng thông lớn nhất, dự kiến bán ra vào năm 2020

SK hynix, hãng sản xuất chip nhớ lớn thứ 2 thế giới, hôm thứ 2 đưa ra thông báo rằng họ đã phát triển DRAM có băng thông lớn nhất trong ngành để sử dụng cho máy học (machine learning), siêu máy tính và trí tuệ nhân tạo.

Không giống như các sản phẩm DRAM thông thường, các chip nhớ có băng thông lớn sẽ được liên kết chặt chẽ với các bộ vi xử lý như GPU và chip logic, sự liên kết này sẽ giúp cho phép tốc độ truyền dữ liệu được nhanh hơn. HBM nổi lên như là một giải pháp bộ nhớ tối ưu dành cho chip card đồ họa cao cấp, các nền tảng siêu máy tính, máy học và trí tuệ nhân tạo.

So sánh với thế hệ HBM2 trước đây, thì thế hệ HBM2E mới nhất được hãng công bố có băng thông và hiệu năng cao gấp 50%.

Nó hỗ trợ hơn 460 gigabyte dữ liệu/ giây dựa trên tốc độ 3.6 gigabit / giây với 1024 dữ liệu nhập và xuất.

SK hynix đã ứng dụng công nghệ “kết nối theo phương thẳng đứng xuyên qua các con chíp” (còn gọi là TSV- through silicon via), để tạo ra nhiều kết nối hơn bằng cách làm cho chúng nhỏ lại, và đi xuyên qua con chíp thay vì đi vòng qua các cạnh còn giúp giảm chiều dài của các kết nối từ vài millimét xuống còn 50 micromét hay thậm chí ngắn hơn tuỳ thuộc vào độ dày của con chíp. Các nhà sản xuất sử dụng công nghệ TSV để kết nối các chíp nhớ DRAM, ước lượng rằng việc dùng các kết nối thẳng đứng sẽ giảm một nữa năng lượng tiêu hao, tăng băng thông lên 8 lần, và giảm kích thước khoảng 35%.

SK hynix đã từng giới thiệu mẫu HBM đầu tiên trên thế giới vào năm 2013. Hãng đã lên kế hoạch sản xuất hàng loạt mẫu chip mới nhất mang tên HBM2E vào năm 2020.

Ông Chun Jun-hyun, trưởng bộ phận kinh doanh chiến lược HMB cho biết: “Khi thị trường mở ra, công ty chúng tôi sẽ có thể tăng cường vị thế dẫn đầu trên thị trường HMB mới mẻ này”.

Theo Korea Herald

Bài viết liên quan

Trả lời

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *

Scroll to top